Нижний Новгород |
ГЛАВНАЯ | НОВОСТИ | БАНКИ | ГОСТИНИЦЫ | КАФЕ | АФИША | НОВОСТИ IT | КОНСУЛЬТАЦИИ | РЕЦЕПТЫ |
DDR2 на основе 40-нанометровых чипов. Фото пресс-службы Samsung |
Компания Samsung анонсировала чипы DRAM-памяти формата DDR2, выполненные с соблюдением 40-нанометрового техпроцесса, сообщает Computerworld. Они потребляют на 30 процентов меньше энергии, чем память, выпускаемая по 50-нанометровой технологии.
Микросхема памяти DDR2 емкостью один гигабит и гигабайтный модуль памяти DDR2, созданный на основе этих микросхем, прошли сертификацию для работы с чипсетом Intel GM45 Express. Основная область применения новых модулей памяти - ноутбуки.
Представители Samsung рассчитывают, что переход на 40-нанометровый техпроцесс позволит вдвое сократить период, который проходит с момента изготовления изделия до его выхода на рынок. В настоящее время он составляет два года.
Напомним, что неделю назад компания Samsung представила четырехгигабитные микросхемы памяти DDR3, созданные с соблюдением 50-нанометрового техпроцесса. До конца текущего года Samsung планирует начать выпуск микросхем памяти DDR3 объемом два гигабита по 40-нанометровой технологии.
В гигабитах (Gb) традиционно измеряется емкость микросхем, из которых состоит модуль памяти. Объем последнего измеряется в гигабайтах (GB). Один гигабайт соответствует восьми гигабитам.
Все новости рубрики новости телекоммуникаций за сегодня
© 1996-2012 INNOV.RU (Иннов.ру), ООО «Иннов», г. Нижний Новгород Свидетельство РОСКОМНАДЗОРА ИА № ТУ 52-0604 от 29 февраля 2012 г. Дизайн-студия «Иннов» - продвижение и cоздание сайтов |