11.07.2005г.
Компании Intel и Corning заключили соглашение о совместной разработке основ фотомасок для литографии с использованием сверхжесткого ультрафиолетового излучения
Корпорация Intel и компания Corning Incorporated (NYSE:GLW) заключили соглашение о разработке стеклянных основ фотомасок со сверхнизким распространением тепла ULE® (low thermal expansion), необходимых для литографии с использованием сверхжесткого ультрафиолетового излучения (Extreme Ultraviolet, EUV). Эти основы нужны для разработки высококачественных фотомасок EUV, позволяющих наладить массовое производство полупроводниковых схем с размером узла 32 нанометра (нм).
"Опираясь на богатый опыт разработки инновационной продукции и глубокие знания оптических материалов и процессов, мы пришли к выводу, что для производства фотомасок для EUV-литографии лучше всего использовать основы ULE", - сказал Джим Стайнер (Jim Steiner), старший вице-президент и генеральный менеджер отделения специальных материалов компании Corning.
Лидерство корпорации Intel в области производства сложных полупроводниковых схем позволит компании Corning быстро реагировать на требования отрасли. В Intel рассчитывают, что благодаря этой программе совместной разработки инструментов литографии производство микросхем с использованием EUV-литографии будет начато уже в 2009 году.
"Совместные усилия компаний Corning и Intel позволят разработать стеклянные основы ULE®, на базе которых можно будет создавать фотомаски для EUV-литографии, - заявил Джим Стайнер. - Мы рады сотрудничать с лидером отрасли полупроводников, и это еще раз подтверждает нашу преданность постоянному улучшению оптических материалов для литографии".
"Одним из важнейших условий разработки коммерчески успешной технологии EUV-литографии является снижение числа дефектов в фотомасках EUV. Вместе с компанией Corning мы хотим устранить один из компонентов этой проблемы - дефекты основ масок, - заявила Дженис Голда (Janice Golda), руководитель отделения литографии корпорации Intel. - Повышение качества масок EUV, а также усилия корпорации Intel, направленные на совершенствование источников света, литографического оборудования и фоторезиста, помогут сформировать инфраструктуру, необходимую для успешного развития и внедрения технологии EUV-литографии".
Литография используется при производстве микросхем для "рисования" схем на кремниевой подложке. В настоящее время применяются инструменты литографии, используемые для "рисования" транзисторов размером всего лишь 50 нм с длиной волны света 193 нм, что похоже на написание портрета малярной кистью. EUV-литография позволит использовать свет с длиной волны 13,5 нм, благодаря чему разработчики микросхем получат очень тонкую "кисть" и смогут "рисовать" уменьшенные транзисторы.
EUV-литография была признана консорциумом International Roadmap of Semiconductor Technology самой перспективной технологией литографии следующего поколения, которая будет реализована после нынешнего поколения инструментов литографии с длиной волны 193 нм.
Источник: Пресс-служба Intel
При перепечатке материала ссылка на innov.ru обязательна
Все новости рубрики
